Las memorias NAND se pueden agrupar en 3 principales categorías: SLC, MLC y TLC.

SLC es una abreviación de "Single-Level Cell" (celda de nivel único):

Las memorias SLC almacenan un bit en cada celda, lo que posibilita mayores velocidades de transferencia, un menor consumo de energía y una mayor resistencia de la celda. La única desventaja de la celda de nivel único es el coste de fabricación por MB, lo que implica que la tecnología de memoria SLC se utiliza en tarjetas de memoria de alto rendimiento donde se da más importancia a la velocidad y la fiabilidad.

MLC es una abreviación de 'Multi-level Cell' (celda de nivel múltiple):

Las memorias MLC almacenan dos bits en cada celda. Al almacenar más bits por celda, una tarjeta de memoria de celda de nivel múltiple cuenta con velocidades de transferencia menores, un mayor consumo de energía y una menor resistencia de la celda que una tarjeta de memoria de celda de nivel único. La ventaja de las memorias de celda de nivel múltiple es el menor coste de fabricación. La tecnología de memoria MLC se utiliza principalmente en memorias estándar.

TLC es una abreviación de 'Triple-level Cell' (celda de nivel triple):

Las memorias TLC almacenan tres bits en cada celda. Al almacenar incluso más bits por celda, una tarjeta de memoria de celda de nivel triple cuenta con velocidades de transferencia menores, mayores tasas de error y una menor resistencia de la celda que las tarjetas de memoria de celda de nivel múltiple y de celda de nivel único. Las ventajas de las memorias de celda de nivel triple es que el chip de memoria será físicamente más pequeño que los chips SLC y MLC para una capacidad de memoria determinada, requiere menos energía para funcionar que las memorias MLC y es más barata de producir. La tecnología de memoria TLC se utiliza sobre todo en memorias de gama baja, donde la velocidad y la fiabilidad no son importantes.